Alliance Memory, Inc. AS6C6416-55Bin
AS6C6416-55BIN
- Проиджоделх: Alliance Memory, Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: Alliance Memory, Inc. AS6C6416-55Bin
- Епаково: Поднос
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 90
- Sku: AS6C6416-55BIN
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Alliance Memory, Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Шram |
| Тела | SRAM - Асинров |
| Raзmerpmayti | 64 марта |
| Органихая | 4m x 16 |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| Верный | 55NS |
| Вернее | 55 м |
| Napraheneee - posta | 2,7 В ~ 3,6 В. |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 48-LFBGA |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 48-TFBGA (8x10) |
| Baзowый nomer prodikta | AS6C6416 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | 3A991B2A |
| Htsus | 8542.32.0041 |
| Станодар | 220 |
SRAM - Асинровя Айяна IC 64MBIT PARALLEL 55 NS 48 -TFBGA (8x10)
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p