| Парметр | |
|---|---|
| Млн | OnSemi |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Управо |
| Дип | ОДИНАНАНА |
| Тела | Станода |
| Napraheneee - пик в | 800 В |
| Ток - Среднигиисправейни (io) | 2 а |
| На | 1.1 V @ 2 A |
| Ток - Обратна тебе | 3 мка @ 800 В |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 4-SMD, крхло |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 4-Sdip |
| Baзowый nomer prodikta | DF08 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.10.0080 |
| Станодадж | 1500 |
МОСТВЕВОВОЙ ПЕРКЕРИТОЛОЛ ОДННАФАНАНА СТАНАНАРТ 800 В.