Парметр |
Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
В припании | U-Mosiv |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 60 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 60a (TA) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 6 В, 10 В. |
Rds on (max) @ id, vgs | 8mohm @ 30a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 3V @ 1MA |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 60 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 2900 pf @ 10 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 88 Вт (ТС) |
Rraboч -yemperatura | 175 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | DPAK+ |
PakeT / KORPUES | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 |
Baзowый nomer prodikta | TK60S06 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодадж | 2000 |
N-kanalol 60- 60A (TA) 88W (TC) poverхnoStnoe