Парметр |
Млн | Виаликоеникс |
В припании | Trenchfet® |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Управо |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Коунфигура | N и п-канал |
FET FUONKSHINA | Logiчeskichй yrowenhe |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 30 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 3.7a, 3.8a |
Rds on (max) @ id, vgs | 43mohm @ 3,8a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 3 В @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 15NC @ 10V |
Взёр. | - |
Синла - МАКС | 830 м |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 8-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-tssop |
Baзowый nomer prodikta | SI6544 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.21.0095 |
Станодадж | 3000 |
MOSFET Array 30V 3,7A, 3,8A 830 мст