IXYS IXTD4N80P-3J

IXTD4N80P-3J

Производитель: ИКСИС
Номер производителя: IXYS IXTD4N80P-3J
Упаковка: Масса
Техническая спецификация:-
Запас: 3677
Артикул: IXTD4N80P-3J
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	ИКСИС
Ряд	ПоларХВ™
Упаковка	Масса
Статус продукта	Устаревший
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	800 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	3,6 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	3,4 Ом @ 1,8 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	5,5 В при 100 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	14,2 НК при 10 В
ВГС (Макс)	±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	750 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	100 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	Править
Пакет/ключи	Править
Базовый номер продукта	IXTD4N
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	1

Н-канальный, 800 В, 3,6 А (Tc), 100 Вт (Tc), кристалл для поверхностного монтажа