Парметр | |
---|---|
Млн | NXP USA Inc. |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Управо |
Тела | LDMOS |
ЧastoTA | 2,17 -ggц |
Прирост | 18.3db |
В конце | 28 |
Tykuщiй rerйting (amp) | - |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 700 млн |
Питани - В.О. | 24 |
Napraheneee - оинка | 65 |
МОНТАНАНГИП | ШASCI |
PakeT / KORPUES | Ni-780S |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | Ni-780S |
Baзowый nomer prodikta | MRF8 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | Neprigodnnый |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | 5A991G |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодадж | 250 |