MoSys, Inc. MSR630AGE-1512
IC MEMORY BW BURST 1 ГБ FCBGA
- Производитель: МоСис, Инк.
- Номер производителя: MoSys, Inc. MSR630AGE-1512
- Упаковка: Поднос
- Техническая спецификация:-
- Запас: 6731
- Артикул: MSR630AGE-1512
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | МоСис, Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Последняя покупка |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | БАРАН |
| Технология | СРАМ, РЛДРАМ |
| Размер | 1Гбит |
| Организация | 16М х 72 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Время доступа | 2,7 нс |
| Напряжение питания | - |
| Рабочая температура | - |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 1512-БГА, ФКБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 1512-FCBGA (27x27) |
| Другие имена | 2331-MSR630AGE-1512 |
| Стандартный пакет | 1 |
ИС-память SRAM, RLDRAM, 1 Гбит, параллельный, 2,7 нс, 1512-FCBGA (27x27)
Больше продуктов
- онсеми MM74C89N
- онсеми MM74C910N
- Analog Devices Inc./Maxim Integrated MXD1210CSA
- онсеми NMC27C64N200
- онсеми 74F189PC
- онсеми 74F219PC
- онсеми NMC27C64Q150
- Микрочиповая технология 93LC56/P
- Микрочиповая технология 93LC56/SN
- Микрочиповая технология 93AA46/SN
- Технология микрочипа 24C65/P
- Микрочиповая технология 93LC66/P
- Микрочиповая технология 93LC66/SN
- Микрочиповая технология 93AA56/SN
- Микрочиповая технология 93LC46/P