| Параметры |
| Производитель | Микрон Технология Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | РЛДРАМ 3 |
| Размер | 1125 Гбит |
| Организация | 64М х 18 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 1,2 ГГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Время доступа | 7,5 нс |
| Напряжение питания | 1,28 В ~ 1,42 В |
| Рабочая температура | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 168-ТБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 168-БГА (13,5х13,5) |
| Базовый номер продукта | МТ44К64М18 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0036 |
| Стандартный пакет | 1000 |
Микросхема памяти RLDRAM 3 1,125 Гбит, параллельная, 1,2 ГГц, 7,5 нс, 168-BGA (13,5x13,5)