Парметр |
Млн | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
В припании | - |
Упако | Трубка |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 600 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 4a (TC) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 10 В |
Rds on (max) @ id, vgs | 2,2 гм @ 2a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 4,5 -50 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 18 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 30 v |
Взёр. | 615 PF @ 25 V |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 35 Вт (TC) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | DO-220F |
PakeT / KORPUES | 220-3- |
Baзowый nomer prodikta | AOTF4 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | 785-1790 |
Станодадж | 50 |
N-kanal 600-4а (Tc) 35-й (Tc) чereз otwerstiee-до-220f