STMicroelectronics M59DR032EA10ZB6 — Память STMicroelectronics — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

СТМикроэлектроника M59DR032EA10ZB6

M59DR032EA10ZB6

  • Производитель: СТМикроэлектроника
  • Номер производителя: СТМикроэлектроника M59DR032EA10ZB6
  • Упаковка: Поднос
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9310
  • Артикул: M59DR032EA10ZB6
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель СТМикроэлектроника
Ряд -
Упаковка Поднос
Статус продукта Устаревший
Тип Энергонезависимый
Формат памяти ВСПЫШКА
Технология ВСПЫШКА – НО
Размер 32 Мбит
Организация 2М х 16
Интерфейс памяти Параллельно
Время цикла записи — Word, Page 100 нс
Время доступа 100 нс
Напряжение питания 1,65 В ~ 2,2 В
Рабочая температура -40°С ~ 85°С (ТА)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 48-ЛФБГА
Поставщик пакета оборудования 48-ТФБГА (7х12)
Базовый номер продукта M59DR032
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN 3А991Б1А
ХТСУС 8542.32.0071
Стандартный пакет 1638 г.
FLASH-NOR ИС память, 32 Мбит, параллельный, 100 нс, 48-TFBGA (7x12)