STMicroelectronics NAND512R3A2BZA6E - Память STMicroelectronics - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

STMicroelectronics NAND512R3A2BZA6E

NAND512R3A2BZA6E

  • Производитель: СТМикроэлектроника
  • Номер производителя: STMicroelectronics NAND512R3A2BZA6E
  • Упаковка: Поднос
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9600
  • Артикул: NAND512R3A2BZA6E
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель СТМикроэлектроника
Ряд -
Упаковка Поднос
Статус продукта Устаревший
Тип Энергонезависимый
Формат памяти ВСПЫШКА
Технология ФЛЕШ-НЕ-НЕ
Размер 512 Мбит
Организация 64М х 8
Интерфейс памяти Параллельно
Время цикла записи — Word, Page 60нс
Время доступа 60 нс
Напряжение питания 1,7 В ~ 1,95 В
Рабочая температура -40°С ~ 85°С (ТА)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 63-ВФБГА
Поставщик пакета оборудования 63-ВФБГА (8,5х15)
Базовый номер продукта NAND512
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN 3А991Б1А
ХТСУС 8542.32.0071
Стандартный пакет 1260
ИС флэш-памяти NAND, 512 Мбит, параллельной, 60 нс, 63-VFBGA (8,5x15)