Infineon Technologies IRF6635 — полевые транзисторы Infineon Technologies, полевые МОП-транзисторы — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
Infineon Technologies IRF6635

Инфинеон Технологии IRF6635

IRF6635

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Инфинеон Технологии IRF6635
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 7023
  • Артикул: IRF6635
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Добавить в список запросов предложений

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 32А (Та), 180А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 1,8 мОм при 32 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,35 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 71 НК при 4,5 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5970 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2,8 Вт (Та), 89 Вт (Тс)
Рабочая температура -40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования DIRECTFET™ MX
Пакет/ключи DirectFET™ Изометрический MX
Статус RoHS не соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 4800
N-канальный 30 В 32 А (Ta), 180 А (Tc) 2,8 Вт (Ta), 89 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа DIRECTFET™ MX

Больше продуктов

Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.