| Параметры |
| Производитель | GeneSiC Полупроводник |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип полярного транзистора | - |
| Технология | SiC (карбидокремниевый переходной транзистор) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 100 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 9А (Тц) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | - |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 240 мОм при 5 А |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | - |
| ВГС (Макс) | - |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 20 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | -55°С ~ 225°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-46 |
| Пакет/ключи | ТО-46-3 |
| Статус RoHS | Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Другие имена | 1242-1251 гг. |
| Стандартный пакет | 200 |
100 В 9 А (Тс) 20 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-46