GeneSiC Semiconductor GA05JT01-46 - GeneSiC Semiconductor FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Полупроводник GeneSiC GA05JT01-46

GA05JT01-46

  • Производитель: GeneSiC Полупроводник
  • Номер производителя: Полупроводник GeneSiC GA05JT01-46
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1721 г.
  • Артикул: GA05JT01-46
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель GeneSiC Полупроводник
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора -
Технология SiC (карбидокремниевый переходной транзистор)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9А (Тц)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) -
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 240 мОм при 5 А
Vgs(th) (Макс) @ Id -
ВГС (Макс) -
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 20 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 225°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-46
Пакет/ключи ТО-46-3
Статус RoHS Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 1242-1251 гг.
Стандартный пакет 200
100 В 9 А (Тс) 20 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-46