ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF25672-6.5B1

ИС61НВФ25672-6.5Б1

Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
Номер производителя: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF25672-6.5B1
Упаковка: Поднос
Техническая спецификация: PDF
Запас: 6667
Артикул: ИС61НВФ25672-6.5Б1
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
Ряд	-
Упаковка	Поднос
Статус продукта	Устаревший
Тип	Неустойчивый
Формат памяти	СРАМ
Технология	SRAM – синхронный, SDR
Размер	18 Мбит
Организация	256К х 72
Интерфейс памяти	Параллельно
Тактовая частота	133 МГц
Время цикла записи — Word, Page	-
Время доступа	6,5 нс
Напряжение питания	2375 В ~ 2625 В
Рабочая температура	0°С ~ 70°С (ТА)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	209-БГА
Поставщик пакета оборудования	209-ЛФБГА (14х22)
Базовый номер продукта	ИС61НВФ25672
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	3A991B2A
ХТСУС	8542.32.0041
Стандартный пакет	84

SRAM — синхронная, микросхема памяти SDR, 18 Мбит, параллельная, 133 МГц, 6,5 нс, 209-LFBGA (14x22)