Парметр |
Манера | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | В аспекте |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 30 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 10А (таблица) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
Rds on (max) @ id, vgs | 19,5mohm @ 10a, 10v |
Vgs (th) (max) @ id | 2,5 -50 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 13 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 715 PF @ 15 V |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 3,1 yt (tat) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8 лейт |
PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) |
Baзowый nomer prodikta | AO44 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодар | 3000 |
N-kanal 30- 10A (ta) 3,1 sta (ta) poverхnoStnoe krepleneen 8 soic