Параметры |
Производитель | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
Ряд | - |
Упаковка | Трубка |
Статус продукта | Активный |
Тип | Энергонезависимый |
Формат памяти | ВСПЫШКА |
Технология | ВСПЫШКА – НО |
Размер | 4 Мбит |
Организация | 512К х 8 |
Интерфейс памяти | SPI — четырехканальный ввод-вывод |
Тактовая частота | 104 МГц |
Время цикла записи — Word, Page | 50 мкс, 2,4 мс |
Напряжение питания | 2,7 В ~ 3,6 В |
Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Пакет/ключи | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) |
Поставщик пакета оборудования | 8-СОП |
Базовый номер продукта | GD25Q40 |
Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
Статус REACH | REACH не касается |
ECCN | EAR99 |
ХТСУС | 8542.32.0071 |
Стандартный пакет | 20 000 |
FLASH — NOR ИС память 4 Мбит SPI — Quad I/O 104 МГц, 8-SOP