GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ4UEYIGY

GD5F1GQ4UEYIGY

Производитель: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Номер производителя: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ4UEYIGY
Упаковка: Поднос
Техническая спецификация: PDF
Запас: 9151
Артикул: GD5F1GQ4UEYIGY
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Ряд	-
Упаковка	Поднос
Статус продукта	Активный
Тип	Энергонезависимый
Формат памяти	ВСПЫШКА
Технология	ФЛЕШ-НЕ-НЕ
Размер	1Гбит
Организация	128М х 8
Интерфейс памяти	SPI — четырехканальный ввод-вывод
Тактовая частота	120 МГц
Время цикла записи — Word, Page	700 мкс
Напряжение питания	2,7 В ~ 3,6 В
Рабочая температура	-40°С ~ 85°С (ТА)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	8-WDFN Открытая площадка
Поставщик пакета оборудования	8-ВСОН (6х8)
Базовый номер продукта	GD5F1GQ4
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	3A991B1A
ХТСУС	8542.32.0071
Стандартный пакет	4800

FLASH — ИС память NAND 1 Гбит SPI — Quad I/O 120 МГц 8-WSON (6x8)