IXYS IXTP3N120 - IXYS FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

IXYS IXTP3N120

IXTP3N120

  • Производитель: ИКСИС
  • Номер производителя: IXYS IXTP3N120
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 12
  • Артикул: IXTP3N120
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $8.4500

Дополнительная цена:$8.4500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель ИКСИС
Ряд HiPerFET™
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 4,5 Ом при 500 мА, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 42 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1350 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 200 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220-3
Пакет/ключи ТО-220-3
Базовый номер продукта IXTP3
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) Непригодный
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена IXTP3N120-НДР
Стандартный пакет 50
Н-канальный 1200 В, 3 А (Tc) 200 Вт (Tc), сквозное отверстие ТО-220-3