| Парметр | |
|---|---|
| Млн | OnSemi |
| В припании | - |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| Колист. Каналов | 1 |
| Naprayжeniee - yзolyahip | 4170vrms |
| Коэффигиэнт Переносатока (мин) | - |
| Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) | - |
| Klючite / vыklючite -veremymape (typ) | 45 мкс, 45 мкс (максимум) |
| Верна | - |
| ТИПВ | ТОК |
| Втипа | МОСС |
| На | 30 |
| Ток - | - |
| На | 1,3 В. |
| Current - DC Forward (if) (max) | 60 май |
| Vce nassheeneee (mmaks) | - |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 100 ° C. |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | 6-DIP (0,400 ", 10,16 ММ) |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 6-Dip |
| Baзowый nomer prodikta | H11f |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | Neprigodnnый |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.49.8000 |
| Дрогин ИНЕНА | 2832-H11F1TVM-488 |
| Станодадж | 1000 |
Оптоизолятор MOSFET vыхOD 4170VRMS 1 Канал 6-DIP
