onsemi HGT1S12N60A4S9A - onsemi IGBT - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми HGT1S12N60A4S9A

ХГТ1С12Н60А4С9А

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми HGT1S12N60A4S9A
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6128
  • Артикул: ХГТ1С12Н60А4С9А
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип БТИЗ -
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 600 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 54 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm) 96 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2,7 В @ 15 В, 12 А
Мощность - Макс. 167 Вт
Переключение энергии 55 мкДж (вкл.), 50 мкДж (выкл.)
Тип входа Стандартный
Заряд от ворот 78 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C 17 нс/96 нс
Условия испытаний 390В, 12А, 10Ом, 15В
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Поставщик пакета оборудования Д²ПАК (ТО-263)
Базовый номер продукта ХГТ1С12
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 800
IGBT 600 В, 54 А, 167 Вт, для поверхностного монтажа D²PAK (ТО-263)