Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35AMFV, L3F

SSM3J35AMFV, L3F

Проиджоделх: Toshiba semiconductor и хraneneee
NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35AMFV, L3F
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 58
Sku: SSM3J35AMFV, L3F
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,2500

Эkst цena:$0,2500

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	U-MOSVII
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	20
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	250 май (таблица)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	1,2 В, 4,5 В.
Rds on (max) @ id, vgs	1,4от @ 150 май, 4,5
Vgs (th) (max) @ id	1 w @ 100 мк
Vgs (mmaks)	± 10 В.
Взёр.	42 pf @ 10 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	150 м. (ТАК)
Rraboч -yemperatura	150 ° С
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	Вер
PakeT / KORPUES	SOT-723
Baзowый nomer prodikta	SSM3J35
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.21.0095
Станодадж	8000

P-KANAL 20- 250 мам (TA) 150 м ПЕРЕВО