| Параметры |
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Зенер |
| Однонаправленные соединения | 1 |
| Напряжение — обратное зазор (типовое) | 8В |
| Напряжение - пробой (мин) | 9В |
| Напряжение – ограничение (макс.) при Ipp | 13,7 В |
| Ток — пиковый импульс (10/1000 мкс) | 10,9А |
| Мощность — пиковый импульс | 1000 Вт (1 кВт) |
| Защита линий электропередачи | Нет |
| Приложения | Общего назначения |
| Эмкость на частотах | - |
| Рабочая температура | -65°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | ДО-216АА |
| Поставщик пакета оборудования | Повермит 1 (DO216-AA) |
| Базовый номер продукта | УПТ8Е3 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.10.0080 |
| Стандартный пакет | 1 |
Зажим 13,7 В, 10,9 А, Ipp, диод для поверхностного монтажа телевизоров Powermite 1 (DO216-AA)