Infineon Technologies SPI08N80C3
SPI08N80C3
- Проиджоделх: Infineon Technologies
- NoMerPOIзVODITELEL: Infineon Technologies SPI08N80C3
- Епаково: МАССА
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 3187
- Sku: SPI08N80C3
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Infineon Technologies |
| В припании | Coolmos ™ |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ФЕТ | N-канал |
| Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
| Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 800 В |
| TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 8a (TC) |
| Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 10 В |
| Rds on (max) @ id, vgs | 650mohm @ 5.1a, 10 В |
| Vgs (th) (max) @ id | 3,9 В @ 470 мк |
| ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 60 NC @ 10 V |
| Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
| Взёр. | 1100 pf @ 100 v |
| FET FUONKSHINA | - |
| Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 104W (TC) |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | PG-TO262-3 |
| PakeT / KORPUES | 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA |
| Baзowый nomer prodikta | SPI08N |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Станодадж | 1 |
N-Kanal 800-8A (TC) 104W (TC).
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740