Toshiba Semiconductor and Storage RN4990FE, LF (CT
RN4990FE, LF (Ct
- Проиджоделх: Toshiba semiconductor и хraneneee
- NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage RN4990FE, LF (CT
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 9570
- Sku: RN4990FE, LF (Ct
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| Это | 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 100 май |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 50 |
| Rerзystor - baзa (r1) | 4,7 КОМ |
| Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) | - |
| DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | 120 @ 1MA, 5V |
| Vce saturation (max) @ ib, ic | 300 м. |
| Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 100NA (ICBO) |
| ASTOTA - PRERESHOD | 250 мг, 200 мг |
| Синла - МАКС | 100 м |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | SOT-563, SOT-666 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | ES6 |
| Baзowый nomer prodikta | RN4990 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.21.0095 |
| Станодадж | 4000 |
Предварительно смеченный биполярный транзистор (BJT) 1 NPN, 1 PNP-предварительно смещенное (двойное) 50 В 100 мА 250 МГц, 200 МГц 100 МВт Повзрослеть
