Парметр |
Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
Это | 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen |
Current - Collector (IC) (MMAKS) | 100 май |
Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 50 |
Rerзystor - baзa (r1) | 4,7 КОМ |
Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) | - |
DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | 120 @ 1MA, 5V |
Vce saturation (max) @ ib, ic | 300 м. |
Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 100NA (ICBO) |
ASTOTA - PRERESHOD | 200 мг |
Синла - МАКС | 100 м |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | SOT-563, SOT-666 |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | ES6 |
Baзowый nomer prodikta | RN2910 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.21.0095 |
Станодадж | 4000 |
Предволёлно-мюзеннн-в-аварий Повзрослеть