Vishay Силиконикс SI3586DV-T1-E3

SI3586DV-T1-E3

Производитель: Вишай Силиконикс
Номер производителя: Vishay Силиконикс SI3586DV-T1-E3
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 4632
Артикул: SI3586DV-T1-E3
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	Вишай Силиконикс
Ряд	ТренчFET®
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Устаревший
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация	N и P-канал
Особенность левого транзистора	Ворота логического уровня
Напряжение стока к источнику (Vdss)	20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	2,9 А, 2,1 А
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	60 мОм при 3,4 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	1,1 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	6 НК при 4,5 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	-
Мощность - Макс.	830мВт
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6
Поставщик пакета оборудования	6-ЦОП
Базовый номер продукта	СИ3586
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.21.0095
Стандартный пакет	3000

Массив МОП-транзисторов 20 В, 2,9 А, 2,1 А, 830 мВт, для поверхностного монтажа, 6-ТСОП