Парметр |
Млн | Stmicroelectronics |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Управо |
Тела | LDMOS |
ЧastoTA | 500 мг |
Прирост | 17 ДБ |
В конце | 12,5 В. |
Tykuщiй rerйting (amp) | 4 а |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 150 май |
Питани - В.О. | 8 Вт |
Napraheneee - оинка | 40 |
PakeT / KORPUES | PowerSo-10 oTkrыto onhyжne |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | PowerSo-10rf (praNehOй cvIneц) |
Baзowый nomer prodikta | PD55008 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 3 (168 чASOW) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодар | 600 |
RF MOSFET 12,5-150 Мас 500 мг 17 дБ 8W PowerSO-10RF (PraNeй-CVINEц)