Технология микрочипа APT33GF120LRDQ2G

APT33GF120LRDQ2G

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Технология микрочипа APT33GF120LRDQ2G
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 4103
Артикул: APT33GF120LRDQ2G
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Устаревший
Тип БТИЗ	ДНЯО
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	64 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm)	75 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	3 В @ 15 В, 25 А
Мощность - Макс.	357 Вт
Переключение энергии	1315 мДж (вкл.), 1515 мДж (выкл.)
Тип входа	Стандартный
Заряд от ворот	170 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C	14 нс/185 нс
Условия испытаний	800 В, 25 А, 4,3 Ом, 15 В
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-264-3, ТО-264АА
Поставщик пакета оборудования	ТО-264 [Л]
Базовый номер продукта	АПТ33GF120
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	25

IGBT NPT 1200 В 64 А 357 Вт Сквозное отверстие ТО-264 [L]