Технология микрочипа APT15GT60BRDQ1G

APT15GT60BRDQ1G

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Технология микрочипа APT15GT60BRDQ1G
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 1901 год
Артикул: APT15GT60BRDQ1G
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Мощность - Макс.	184 Вт
Переключение энергии	150 мкДж (вкл.), 215 мкДж (выкл.)
Тип входа	Стандартный
Заряд от ворот	75 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C	6 нс/105 нс
Условия испытаний	400В, 15А, 10Ом, 15В
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-247-3
Поставщик пакета оборудования	ТО-247 [Б]
Базовый номер продукта	АПТ15ГТ60
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	1
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	Thunderbolt IGBT®
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	ДНЯО
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	600 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	42 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm)	45 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2,5 В @ 15 В, 15 А

IGBT NPT 600 В 42 А 184 Вт сквозное отверстие ТО-247 [Б]