Toshiba Semiconductor and Storage 4N26(КОРОТКИЙ,F)
4Н26(КОРОТКИЙ,Ф)
- Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
- Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage 4N26(КОРОТКИЙ,F)
- Упаковка: Трубка
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 9592
- Артикул: 4Н26(КОРОТКИЙ,Ф)
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных |
| Ряд | - |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | Устаревший |
| Количество вариантов | 1 |
| Напряжение – изоляция | 2500 В (среднеквадратичное значение) |
| Текущий коэффициент передачи (мин.) | 20% при 10 мА |
| Текущий коэффициент передачи (макс.) | - |
| Время включения/выключения (типовое) | - |
| Время подъема/спада (типичное) | 2 мкс, 200 мкс |
| Тип входа | округ Колумбия |
| Тип выхода | Транзистор с базой |
| Напряжение - Выход (Макс.) | 30 В |
| Ток — выход/канал | 100 мА |
| Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | 1,15 В |
| Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | 80 мА |
| Насыщенность Vce (макс.) | 500мВ |
| Рабочая температура | -55°С ~ 100°С |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | 6-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | 6-ДИП |
| Базовый номер продукта | 4Н26 |
| Статус RoHS | Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.49.8000 |
| Стандартный пакет | 50 |
Оптоизоляционный транзистор с базовым выходом 2500 В (среднеквадратичное значение), 1 канал, 6-DIP
