Toshiba Semiconductor and Storage 4n26 (Short, f)
4n26 (Короккил, f)
- Проиджодел: Toshiba semiconductor и хraneneee
- NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage 4n26 (Short, f)
- Епаково: Трубка
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 9592
- Sku: 4n26 (Короккил, f)
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
| В припании | - |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Управо |
| Колист. Каналов | 1 |
| Naprayжeniee - yзolyahip | 2500vrms |
| Коэффигиэнт Переносатока (мин) | 20% @ 10ma |
| Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) | - |
| Klючite / vыklючite -veremymape (typ) | - |
| Верна | 2 мкс, 200 мкс |
| ТИПВ | ТОК |
| Втипа | Траншистор С.Б.А. |
| На | 30 |
| Ток - | 100 май |
| На | 1,15 В. |
| Current - DC Forward (if) (max) | 80 май |
| Vce nassheeneee (mmaks) | 500 м |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 100 ° C. |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | 6-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 6-Dip |
| Baзowый nomer prodikta | 4n26 |
| Статус Ройс | ROHS COMPRINT |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.49.8000 |
| Станодадж | 50 |
Оптол-апрель
