Vishay Siliconix SIR638ADP-T1-RE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
Vishay Siliconix SIR638ADP-T1-RE3

Vishay Siliconix SIR638ADP-T1-RE3

SIR638ADP-T1-RE3

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIR638ADP-T1-RE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 139
  • Артикул: SIR638ADP-T1-RE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

добавить в корзину

Цена за единицу: $1,8000

Дополнительная цена:$1,8000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд TrenchFET® Gen IV
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 0,88 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,3 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 165 НК при 10 В
ВГС (Макс) +20 В, -16 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 9100 пФ при 100 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 104 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ПауэрПАК® СО-8
Пакет/ключи ПауэрПАК® СО-8
Базовый номер продукта СИР638
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
N-канальный 40 В 100 А (Tc) 104 Вт (Tc) для поверхностного монтажа PowerPAK® SO-8

Больше продуктов

Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.