Vishay Siliconix SIRC04DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
Vishay Siliconix SIRC04DP-T1-GE3

Vishay Siliconix SIRC04DP-T1-GE3

SIRC04DP-T1-GE3

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIRC04DP-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6
  • Артикул: SIRC04DP-T1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

добавить в корзину

Цена за единицу: $1,6600

Дополнительная цена:$1,6600

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд TrenchFET® Gen IV
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 60А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 2,45 мОм при 15 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,1 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 56 НК при 10 В
ВГС (Макс) +20 В, -16 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2850 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора Диод Шоттки (корпус)
Рассеиваемая мощность (макс.) 50 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ПауэрПАК® СО-8
Пакет/ключи ПауэрПАК® СО-8
Базовый номер продукта SIRC04
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
Н-канальный 30 В 60 А (Tc) 50 Вт (Tc) для поверхностного монтажа PowerPAK® SO-8

Больше продуктов

Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.