Vishay Siliconix SIS903DN-T1-GE3

SIS903DN-T1-GE3

Производитель: Вишай Силиконикс
Номер производителя: Vishay Siliconix SIS903DN-T1-GE3
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 1577 г.
Артикул: SIS903DN-T1-GE3
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,9800

Дополнительная цена:$0,9800

Подробности

Параметры
Производитель	Вишай Силиконикс
Ряд	TrenchFET® Gen III
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация	2 P-канала (двойной)
Особенность левого транзистора	-
Напряжение стока к источнику (Vdss)	20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	6А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	20,1 мОм при 5 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	1 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	42 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	2565пФ при 10 В
Мощность - Макс.	2,6 Вт (Та), 23 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	PowerPAK® 1212-8 двойной
Поставщик пакета оборудования	PowerPAK® 1212-8 двойной
Базовый номер продукта	СИС903
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	3000

Массив МОП-транзисторов 20 В, 6 А (Tc), 2,6 Вт (Ta), 23 Вт (Tc), для поверхностного монтажа PowerPAK® 1212-8 Dual