Vishay Siliconix SIZ350DT-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SIZ350DT-T1-GE3

СИЗ350ДТ-Т1-GE3

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIZ350DT-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2
  • Артикул: СИЗ350ДТ-Т1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1.1300

Дополнительная цена:$1.1300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд TrenchFET® Gen IV
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 18,5 А (Та), 30 А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 6,75 мОм при 15 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,4 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 20,3 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 940пФ при 15В
Мощность - Макс. 3,7 Вт (Та), 16,7 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-PowerWDFN
Поставщик пакета оборудования 8-Сила33 (3х3)
Базовый номер продукта СИЗ350
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
Массив МОП-транзисторов 30 В 18,5 А (Ta), 30 А (Tc) 3,7 Вт (Ta), 16,7 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-Power33 (3x3)