IXYS IXTM67N10 - IXYS FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

IXYS IXTM67N10

IXTM67N10

  • Производитель: ИКСИС
  • Номер производителя: IXYS IXTM67N10
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8827
  • Артикул: IXTM67N10
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель ИКСИС
Ряд ГигаМОС™
Упаковка Трубка
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 67А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 25 мОм при 33,5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 4 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 260 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4500 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 300 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-204АЭ
Пакет/ключи ТО-204АЭ
Базовый номер продукта IXTM67
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 20
N-канал 100 В 67 А (Tc) 300 Вт (Tc) сквозное отверстие ТО-204АЕ