Vishay Siliconix SIHA2N80E-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
Vishay Siliconix SIHA2N80E-GE3

Vishay Силиконикс SIHA2N80E-GE3

SIHA2N80E-GE3

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Силиконикс SIHA2N80E-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 26
  • Артикул: SIHA2N80E-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

добавить в корзину

Цена за единицу: $1,6500

Дополнительная цена:$1,6500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд Э
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 800 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2,8 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 2,75 Ом при 1 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 19,6 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 315 пФ при 100 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 29 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220 Полный пакет
Пакет/ключи ТО-220-3 Полный пакет
Базовый номер продукта СИХА2
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1000
N-канальный 800 В 2,8 А (Tc) 29 Вт (Tc) сквозное отверстие ТО-220, полный комплект

Больше продуктов

Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.