| Параметры |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | ДРАМ - ЭДО |
| Размер | 16Мбит |
| Организация | 1М х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 85нс |
| Время доступа | 25 нс |
| Напряжение питания | 4,5 В ~ 5,5 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 50-ТСОП (0,400 дюймов, ширина 10,16 мм), 44 результата |
| Поставщик пакета оборудования | 50-ЦОП II |
| Базовый номер продукта | IS41C16100 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0002 |
| Стандартный пакет | 1000 |
DRAM — ИС память EDO, 16 Мбит, параллельный, 25 нс, 50-TSOP II