| Параметры |
| Производитель | Микрон Технология Инк. |
| Ряд | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | SDRAM — мобильный LPDDR4 |
| Размер | 4Гбит |
| Организация | 128М х 32 |
| Интерфейс памяти | - |
| Тактовая частота | 1866 ГГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Напряжение питания | 1,1 В |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C (TC) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 200-ВФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 200-ВФБГА (10х14,5) |
| Базовый номер продукта | МТ53Е128 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0036 |
| Другие имена | МТ53Е128М32Д2ДС-053АУТ:А |
| Стандартный пакет | 1360 |
SDRAM — ИС мобильной памяти LPDDR4, 4 Гбит, 1866 ГГц, 200-WFBGA (10x14,5)