| Парметр | |
|---|---|
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Станодадж | 1000 |
| Млн | OnSemi |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Управо |
| Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
| Коунфигура | 2 n-канал (Дзонано) |
| FET FUONKSHINA | Logiчeskichй yrowenhe |
| Steйte odohstoчnica naprayжenip (vds) | 35 |
| TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 10 часов |
| Rds on (max) @ id, vgs | 17mohm @ 10a, 10 В |
| Vgs (th) (max) @ id | 2,6 В @ 1MA |
| ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 19NC @ 10V |
| Взёр. | 960pf @ 20v |
| Синла - МАКС | 2,5 |
| Rraboч -yemperatura | 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-Sop |
| Baзowый nomer prodikta | FW812 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
MOSFET Массив 35V 10A 2,5 stporхnoStnoe
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740