Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов V2FL45HM3/H
В2ФЛ45ХМ3/Ч
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов
- Номер производителя: Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов V2FL45HM3/H
- Упаковка: Лента и катушка (TR)
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 55
- Артикул: В2ФЛ45ХМ3/Ч
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Эмкость @ Вр, Ф | 270пФ @ 4В, 1МГц |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | ДО-219АБ |
| Поставщик пакета оборудования | ДО-219АБ (СМФ) |
| Рабочая температура - соединение | -40°С ~ 150°С |
| Базовый номер продукта | В2ФЛ45 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.10.0080 |
| Стандартный пакет | 3000 |
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов |
| Ряд | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Технология | Шоттки |
| Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | 45 В |
| Ток – средний выпрямленный (Io) | 2А |
| Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | 560 мВ при 2 А |
| Скорость | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) |
| Ток – обратная утечка @ Vr | 570 мкА при 45 В |
Диод 45 В 2А для поверхностного монтажа DO-219AB (SMF)
Больше продуктов
- Диоды Инкорпорейтед 1N4001-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N4002-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N4003-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N4004-T
- Диоды Инкорейтед 1N4005-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N4006-T
- Диоды Инкорейтед 1N4007-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N4148-T
- Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов VS-70HFR40
- Диоды Инкорпорейтед 1N5400-T
- Диоды Инкорпорейтед S1BB-13
- Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов VS-85HF100
- Диоды Инкорейтед 1N5401-T
- Диоды Инкорейтед 1N5402-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N5404-T