onsemi 2N7000BU_T - полевые транзисторы onsemi, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми 2N7000BU_T

2Н7000БУ_Т

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми 2N7000BU_T
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 7132
  • Артикул: 2Н7000БУ_Т
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 200 мА (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 5 Ом при 500 мА, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3 В при 1 мА
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 50 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 400 мВт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-92-3
Пакет/ключи ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА)
Базовый номер продукта 2Н7000
Уровень чувствительности к влаге (MSL) Непригодный
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 1
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
N-канал 60 В 200 мА (Tc) 400 мВт (Ta) Сквозное отверстие ТО-92-3