Diodes Incorporated DMJ70H1D4SV3 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед DMJ70H1D4SV3

ДМДЖ70Х1Д4СВ3

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DMJ70H1D4SV3
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6493
  • Артикул: ДМДЖ70Х1Д4СВ3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Статус REACH Затронуто REACH
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 75
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 700 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 1,5 Ом при 1 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7,5 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 342 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 78 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-251
Пакет/ключи ТО-251-3 Заглушки, ИПак
Базовый номер продукта ДМЖ70
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) Непригодный
Н-канал 700 В 5 А (Тс) 78 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-251