IXYS-RF IXRFSM12N100 - IXYS-RF FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
IXYS-RF IXRFSM12N100

IXYS-РФ IXRFSM12N100

IXRFSM12N100

  • Производитель: ИКСИС-РФ
  • Номер производителя: IXYS-РФ IXRFSM12N100
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 7593
  • Артикул: IXRFSM12N100
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Добавить в список запросов предложений

Подробности

Теги

Параметры
Производитель ИКСИС-РФ
Ряд СМПД
Упаковка Трубка
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1000 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 12А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 15 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 1,05 Ом при 6 А, 15 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5,5 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 77 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2875 пФ при 800 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 940 Вт
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 16-СМПД
Пакет/ключи 16-БЕСОП (0,790 дюймов, ширина 20,11 мм), 15 выводов, открытая площадка
Базовый номер продукта IXRFSM12
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 30
Н-канальный, 1000 В, 12 А (Tc), 940 Вт, для поверхностного монтажа, 16-СМПД

Больше продуктов

Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.