Microsemi Corporation APT10M09B2VFRG - Microsemi Corporation FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Корпорация Microsemi APT10M09B2VFRG

АПТ10М09Б2ВФРГ

  • Производитель: Корпорация Микросеми
  • Номер производителя: Корпорация Microsemi APT10M09B2VFRG
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8865
  • Артикул: АПТ10М09Б2ВФРГ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Корпорация Микросеми
Ряд СИЛОВАЯ МОП V®
Упаковка Трубка
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 9 мОм при 50 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В при 2,5 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 350 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 9875 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 625 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования Т-МАКС™ [Б2]
Пакет/ключи ТО-247-3 Вариант
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 30
N-канальный 100 В 100 А (Tc) 625 Вт (Tc) Сквозное отверстие T-MAX™ [B2]