GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE40CSIGR

GD25VE40CSIGR

Производитель: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Номер производителя: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE40CSIGR
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 2291
Артикул: GD25VE40CSIGR
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип	Энергонезависимый
Формат памяти	ВСПЫШКА
Технология	ВСПЫШКА – НО
Размер	4 Мбит
Организация	512К х 8
Интерфейс памяти	SPI — четырехканальный ввод-вывод
Тактовая частота	104 МГц
Время цикла записи — Word, Page	-
Напряжение питания	2,1 В ~ 3,6 В
Рабочая температура	-40°С ~ 85°С (ТА)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм)
Поставщик пакета оборудования	8-СОП
Базовый номер продукта	ГД25ВЭ40
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8542.32.0071
Стандартный пакет	2000 г.

FLASH — NOR ИС память 4 Мбит SPI — Quad I/O 104 МГц, 8-SOP