Infineon Technologies FZ1200R33KL2CNOSA1 — IGBT Infineon Technologies — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Infineon Technologies FZ1200R33KL2CNOSA1

FZ1200R33KL2CNOSA1

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Infineon Technologies FZ1200R33KL2CNOSA1
  • Упаковка: Поднос
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5094
  • Артикул: FZ1200R33KL2CNOSA1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд -
Упаковка Поднос
Статус продукта Устаревший
Тип БТИЗ -
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 3300 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 2300 А
Мощность - Макс. 14500 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 3,65 В при 15 В, 1200 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 5 мА
Входная емкость (Cies) при Vce 145 нФ при 25 В
Вход Стандартный
НТЦ-термистор Нет
Рабочая температура -40°С ~ 125°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи Модуль
Поставщик пакета оборудования Модуль
Статус RoHS не соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена СП000100618
Стандартный пакет 1
Модуль IGBT 3300 В 2300 А 14 500 Вт Модуль для поверхностного монтажа