| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Stmicroelectronics |
| В припании | - |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | Управо |
| Тела | LDMOS |
| ЧastoTA | 860 мг |
| Прирост | 20 дБ |
| В конце | 32 |
| Tykuщiй rerйting (amp) | 24. |
| Ш | - |
| ТОК - ТЕСТР | 500 май |
| Питани - В.О. | 175 Вт |
| Napraheneee - оинка | 80 |
| PakeT / KORPUES | M246 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | M246 |
| Baзowый nomer prodikta | Let9180 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Верный | Neprigodnnый |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Станодар | 20 |
RF MOSFET 32 V 500 MMA 860 MMGц 20 ДБ 175 Вт M246
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740