Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N1R2CH

800 В, 5,5а, ОДНАКАНАЛЕВН

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $2.5940

Эkst цena:$2.5940

Подробнеси

Парметр
Млн	ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ
В припании	-
Упако	Трубка
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	800 В
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	5.5a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	1,2 ОМ @ 2,75A, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	4 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	19,4 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 30 v
Взёр.	685 pf @ 100 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	110 yt (tc)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Чereз dыru
ПАКЕТИВАЕТСЯ	251 (ipak)
PakeT / KORPUES	251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА
Baзowый nomer prodikta	TSM80
Статус Ройс	Rohs3
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Дрогин ИНЕНА	1801-TSM80N1R2CH
Станодар	15 000

N-kanal 800-5,5A (TC) 110 st (TC) чereSereSeRSTIEE 251 (IPAK)