Microsemi Corporation APTGF50VDA120T3G — IGBT Microsemi Corporation — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Корпорация Microsemi APTGF50VDA120T3G

АПТГФ50ВДА120Т3Г

  • Производитель: Корпорация Микросеми
  • Номер производителя: Корпорация Microsemi APTGF50VDA120T3G
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3901
  • Артикул: АПТГФ50ВДА120Т3Г
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Корпорация Микросеми
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Тип БТИЗ ДНЯО
Конфигурация Чоппер с наклоном наддувом
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 70 А
Мощность - Макс. 312 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 3,7 В @ 15 В, 50 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 250 мкА
Входная емкость (Cies) при Vce 3,45 нФ при 25 В
Вход Стандартный
НТЦ Термистор Да
Рабочая температура -
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи SP3
Поставщик пакета оборудования SP3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
Модуль IGBT NPT, двойной повышающий прерыватель, 1200 В, 70 А, 312 Вт, монтаж на шасси SP3