Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LA-10BCNTR
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
- Проиджоделх: Alliance Memory, Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LA-10BCNTR
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 7276
- Sku: AS4C512M16D3LA-10BCNTR
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Alliance Memory, Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Ддрам |
| Тела | SDRAM - DDR3L |
| Raзmerpmayti | 8 Гит |
| Органихая | 512M x 16 |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| ТАКТОВА | 933 мг |
| Верный | 15NS |
| Вернее | 20 млн |
| Napraheneee - posta | 1283 ЕГО 1,45 |
| Rraboч -yemperatura | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 96-TFBGA |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 96-FBGA (13,5x9) |
| Baзowый nomer prodikta | AS4C512 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| DOSTISHATH | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8542.32.0036 |
| Дрогин ИНЕНА | 1450-AS4C512M16D3LA-10BCNTR |
| Станодадж | 2000 |
SDRAM - DDR3L MEMEMA
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p